1、单晶硅太阳能(néng)電(diàn)池
单晶硅太阳能(néng)電(diàn)池的光電(diàn)转换效率為(wèi)15%左右，最高的达到24%，这是所有(yǒu)种类的太阳能(néng)電(diàn)池中光電(diàn)转换效率最高的，但制作成本很(hěn)大，以致于它还不能(néng)被大量广泛和普遍地使用(yòng)。由于单晶硅一般采用(yòng)钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用(yòng)，使用(yòng)寿命一般可(kě)达15年，最高可(kě)达25年。
2、多(duō)晶硅太阳能(néng)電(diàn)池
多(duō)晶硅太阳電(diàn)池的制作工艺与单晶硅太阳電(diàn)池差不多(duō)，但是多(duō)晶硅太阳能(néng)電(diàn)池的光電(diàn)转换效率则要降低不少，其光電(diàn)转换效率约12%左右 (2004年7月1日日本夏普上市效率為(wèi)14.8%的世界最高效率多(duō)晶硅太阳能(néng)電(diàn)池)。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能(néng)電(diàn)池要便宜一些，材料制造简便，节约電(diàn)耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多(duō)晶硅太阳能(néng)電(diàn)池的使用(yòng)寿命也要比单晶硅太阳能(néng)電(diàn)池短。从性能(néng)价格比来讲，单晶硅太阳能(néng)電(diàn)池还略好。
3、非晶硅太阳能(néng)電(diàn)池
非晶硅太阳電(diàn)池是1976年出现的新(xīn)型薄膜式太阳電(diàn)池，它与单晶硅和多(duō)晶硅太阳電(diàn)池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很(hěn)少，電(diàn)耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能(néng)发電(diàn)。但非晶硅太阳電(diàn)池存在的主要问题是光電(diàn)转换效率偏低，國(guó)际先进水平為(wèi)10%左右，且不够稳定，随着时间的延長(cháng)，其转换效率衰减。
4、多(duō)元化合物(wù)太阳電(diàn)池
多(duō)元化合物(wù)太阳電(diàn)池指不是用(yòng)单一元素半导體(tǐ)材料制成的太阳電(diàn)池。各國(guó)研究的品种繁多(duō)，大多(duō)数尚未工业化生产，主要有(yǒu)以下几种：
a) 硫化镉太阳能(néng)電(diàn)池
b) 砷化镓太阳能(néng)電(diàn)池
c) 铜铟硒太阳能(néng)電(diàn)池(新(xīn)型多(duō)元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能(néng)電(diàn)池